4.8 3.9 5 21

PoE-інжектор MikroTik GESP+PoE-IN RJ45 Male/Female 10/100/1000, Passive PoE

  • Деталі
  • Характеристики
  • Документація

код товару: 288353

В наявності

0

Ціна з ПДВ:

426,50 грн

Основні характеристики

  • Деталі
  • Характеристики
  • Документація

Бренд: MikroTik

Опис інжектора MikroTik GESP+PoE-IN

Ви не можете купити безпеку, але ви можете придбати пристрої MikroTik, щоб зберегти ваші пристрої у безпеці. Погляньте на лінійку продуктів GESP. Він складається з нової версії класичного захисту від перенапруг MikroTik GESP та абсолютно нового пристрою - GESP+POE-IN, пасивного інжектора PoE із захистом від перенапруги. Разом ці два пристрої забезпечують максимальну безпеку.

Ось як би виглядав типовий варіант використання. У вас система антен і деякі комутатори на землі. Поставте туди захист від перенапруги GESP. Він поставляється з новим герметичним покращеним корпусом, захищеним від атмосферних впливів IP67. Тепер ваші антени в безпеці під час грози. Тепер встановити інжектор GESP+POE -IN  для захисту комутаторів та живлення антен.

Не забудьте про заземлюючий дріт! Закріпіть його на стійці, щоглі або будь -якій іншій конструкції, приєднаній до землі. Для максимального захисту слід використовувати захист від перенапруги на обох кінцях довгих кабелів.

Ці маленькі пристрої можуть мати велике значення, коли справа доходить до удару блискавки або статичного накопичення.

Пристрої GESP зазвичай можуть поглинати кілька ударів. Для кріплення блоків GESP ми рекомендуємо використовувати застібки -блискавки з ПВХ. Ця невелика інвестиція може заощадити багато часу та грошей, тож навіщо ризикувати? Візьміть GESP & GESP+POE-IN і будьте спокійні за безпеку ваших пристроїв.

Основні характеристики

  • Тип коннектора: RJ45 Male/Female
  • Захист лінії передачі даних: RJ45 10/100/1000 Ethernet
  • ESD/EMP захист: Поглинання перехідного струму у відповідь на імпульсну напругу 100 V/s 1 kV/μsESD, IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-3, IEC 61000-4-4, IEC 61643-21, ± 8 kV contact, ± 15 kV air
  • Статична напруга спрацьовування: 75 V @ 100 V/s
  • Динамічне напруження спрацьовування: 700 V @ 1 kV/μs
  • Максимальний опір ізоляції: 1 G ohm @ 50V
  • Максимальна ємність: 4 pF @ 1 MHz
  • Струм розряду: 3 kA (8/20μs)
  • Підтримка: РоЕ Passive
  • Діапазон температур: -40 ... 70 °C